[实用新型]生长砷化镓单晶的温控炉无效

专利信息
申请号: 200620039407.6 申请日: 2006-02-09
公开(公告)号: CN2885891Y 公开(公告)日: 2007-04-04
发明(设计)人: 姚荣华;尹庆民 申请(专利权)人: 姚荣华;尹庆民
主分类号: C30B29/42 分类号: C30B29/42;C30B11/00
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 周濂堂
地址: 200233上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 生长砷化镓单晶的温控炉,属炉子结构和温控技术领域。其特点是炉体不平移,炉腔温度分布场空间分为高温T1区,中温T2区,低温T3区;高温T1区有连续10段组成,从右至左分布;每段与每区均有受计算机控制的独立加热炉丝,独立温度测量和各自反馈控制系统;置有砷和镓的石英舟,放置在高温区段,其结晶端处于与中温区交界的高温T1区末端;温控炉是一个正方形横截面的封闭长方体,由超轻氧化铝保温材料构成炉衬,用不同规格的Fe-Cr-Al高温加热丝,分别独立地缠绕在构成温度场的从第1段直到第12段的间隔框架内;并设有籽晶的观察孔,石英封泡和组颈封泡;由温度传感器从腔体引出。实施本实用新型后不需要传动装置,结构简单,生长单晶质量好,成本降低,是一个对现有技术很好改进的设计。
搜索关键词: 生长 砷化镓单晶 温控
【主权项】:
1.生长砷化镓单晶的温控炉,包含炉腔,炉腔加热,温度测量和控温装置,其特征是:炉体不平移,炉腔温度分布场空间分为高温T1区,中温T2区,低温T3区;高温T1区有连续10段组成;从右至左分布,分别是第10段,第9段,第8段......第2段,和第1段;第11段是中温区T2;第12段是低温区T3;每段与每区均有受计算机控制的独立加热炉丝,独立温度测量和各自反馈控制系统;置有砷和镓的石英舟放置在高温区段,其结晶端处于与中温区交界的高温T1区末端;温控炉是一个正方形横截面的封闭长方体(1),分别由超轻高温氧化铝保温材料(2)和低温氧化铝保温材料(14)构成炉衬;按不同的温升要求,采用不同规格的Fe-Cr-Al高温加热丝,分别独立地缠绕在构成温度场的从第1段直到第12段的间隔框架内;在T1末端接近T2部位设有籽晶的观察孔(9);石英反应管(6)安置在炉腔内的垫片(4)上,在石英舟(7)内的砷化镓XX熔体(8),处在由高温炉管炉丝(3)缠绕的高温区T1空间,籽晶端(10)处于接近中温区的高温区T1第10段;砷(12)处在由低温炉管炉丝(13)缠绕的低温区第12段空间内,反应管内设置石英封泡(5)和组颈封泡(11);并有温度传感器(15)从腔体引出。
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