[实用新型]集成电路堆栈构造无效
| 申请号： | 200620004555.4 | 申请日： | 2006-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN2914329Y | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 辛宗宪 | 申请（专利权）人： | 胜开科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/48;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型集成电路堆栈构造，包括一基板，设有一上表面及一下表面，该上表面形成有多数个第一电极，该下表面形成有多数个第二电极连接该对应的第一电极；一下层集成电路，设置于该基板的上表面，其上形成有多数个焊垫；多数条导线，其是电连接该芯片的焊垫至该基板的第一电极；一第一接着剂，涂设于该下层集成电路上，使其硬化，形成同样高度的圆点；一第二接着剂，涂布于该下层集成电路上，位于该第一接着剂四周；一上层集成电路，设置于该下层集成电路上，由该第一接着剂支撑，粘着于该第二接着剂上；多数条导线，电连接该上层集成电路至基板的第一电极电；及封胶层，是用以包覆该上、下层集成电路及导线。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 堆栈 构造 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路堆栈构造，其特征在于包括：一基板，其设有一上表面及一下表面，该上表面形成有多数个第一电极，该下表面形成有多数个第二电极连接该对应的第一电极；一下层集成电路，是设置于该基板的上表面，其上形成有感测区及多数个焊垫；多数条导线，其是电连接该芯片的焊垫至该基板的第一电极；一第一接着剂，是涂设于该下层集成电路上，并使其硬化，而形成同样高度的圆点；一第二接着剂，是涂布于该下层集成电路上，并位于该第一接着剂四周；一上层集成电路，是设置于该下层集成电路上，并由该第一接着剂支撑，且粘着于该第二接着剂上；多数条导线，是电连接该上层集成电路至基板的第一电极上；及封胶层，其是用以包覆该上、下层集成电路及导线。
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