[发明专利]半导体器件中的电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610173267.6 | 申请日： | 2006-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1988181A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 奇安度 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L27/04;H01L21/02;H01L21/822 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件的电容器，其具有多晶硅－介电层－金属层(PIM)结构。该电容器包括：多晶硅层，设置在半导体衬底上；电容器介电层，设置在该多晶硅层上；绝缘层，设置在该电容器介电层上；金属层，设置为穿过该绝缘层的第一区域连接至该电容器介电层；上金属布线层，设置在该绝缘层上并连接至该金属层；以及下金属布线层，设置在该绝缘层上，并经过金属接触部连接至该多晶硅层，其中该金属接触部穿过该绝缘层的第二区域和该电容器介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的电容器，包括：多晶硅层，设置在半导体衬底上；电容器介电层，设置在该多晶硅层上；绝缘层，设置在该电容器介电层上；金属层，设置为穿过该绝缘层的第一区域连接至该电容器介电层；上金属布线层，设置在该绝缘层上并连接至该金属层；以及下金属布线层，设置在该绝缘层上，并经过金属接触部连接至该多晶硅层，其中该金属接触部穿过该绝缘层的第二区域和该电容器介电层。
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