[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610172772.9 | 申请日： | 2006-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1992348A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 朴茔泽 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/822;H01L21/76 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。其中该半导体器件的半导体衬底包括：多个隔离阱，形成于该衬底中并在所述隔离阱之间的区域中具有沟槽；栅极绝缘层，形成在该沟槽内；栅电极，形成在填充该沟槽的栅极绝缘层上；以及源电极和漏电极，形成在该栅电极和所述隔离阱之间的衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：沟槽，形成在半导体衬底中；栅电极，形成在该沟槽中；栅极绝缘层，形成在该沟槽中，其中该栅电极形成在该栅极绝缘层上方；以及至少两个隔离阱，形成在该半导体衬底中，其中该沟槽位于所述至少两个隔离阱之间。
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