[发明专利]芳香烯二炔衍生物、有机半导体薄膜、生产方法和电子器件

摘要

公开了芳香烯二炔衍生物、生产由该芳香烯二炔衍生物形成的有机半导体薄膜的方法和制造包括该有机半导体薄膜的电子器件的方法。根据本发明的芳香烯二炔衍生物具有改进的化学和/或电学稳定性，其能提高所制得的半导体器件的可靠性。根据本发明的芳香烯二炔衍生物还可适用于在室温或接近室温的温度下通过基于溶液的方法，例如旋涂，在各种基质上进行沉积以形成涂膜，然后将该涂膜加热以形成有机半导体薄膜。这种可用的低温处理允许在大面积基质和/或在不适于高温处理的基质上使用所述芳香烯二炔衍生物。因此，根据本发明的所述有机半导体薄膜可用于薄膜晶体管、电致发光器件、太阳能电池和存储器件中。

主权项

1.一种具有式I结构的芳香烯二炔衍生物：其中X₁、X₂、X₃、A₁和A₂各自独立地选自未取代和取代C3-C30亚芳基，和未取代和取代C2-C30杂亚芳基；其中R₁、R₂、R₃和R₄各自独立地选自：卤素、硝基、氨基、氰基、-SiR¹R²R³(其中R¹、R²和R³各自独立地选自氢和C1-C10烷基)、未取代和取代C1-C20烷基、未取代和取代C2-C20烯基、未取代和取代C2-C20炔基、未取代和取代C1-C20烷氧基、未取代和取代C6-C20芳烷基、未取代和取代C6-C30芳氧基、未取代和取代C2-C30杂芳氧基、未取代和取代C1-C20杂烷基和未取代和取代C2-C30杂芳烷基；和另外其中a、b和c各自独立地选自0至10且包括端点的整数，且满足表达式a+b+c＞0；式II：其中X₁、X₂、X₃、X₄、X₅、X₆、A₁和A₂各自独立地选自未取代和取代C3-C30亚芳基，和未取代和取代C2-C30杂亚芳基；R₁、R₂、R₃、R₄、R₅和R₆各自独立地选自：氢、卤素、硝基、氨基、氰基、-SiR¹R²R³，其中R¹、R²和R³各自独立地选自氢和C1-C10烷基、未取代和取代C1-C20烷基、未取代和取代C2-C20烯基、未取代和取代C2-C20炔基、未取代和取代C1-C20烷氧基、未取代和取代C6-C20芳烷基、未取代和取代C6-C30芳氧基、未取代和取代C2-C30杂芳氧基、未取代和取代C1-C20杂烷基和未取代和取代C2-C30杂芳烷基，且R₅和R₆都为除氢以外的取代基，和a、b、c、d、e和f各自独立地选自0至10且包括端点的整数，且同时满足表达式a+b+c＞0和d+e+f＞0；或式III：其中X₁、X₂、X₃、X₄、X₅、X₆、A₁和A₂各自独立地选自未取代和取代C3-C30亚芳基，和未取代和取代C2-C30杂亚芳基；R₁、R₂、R₃和R₄各自独立地选自：氢、卤素、硝基、氨基、氰基、-SiR¹R²R³(其中R¹、R²和R³各自独立地选自氢或C1-C10烷基)、未取代和取代C1-C20烷基、未取代和取代C2-C20烯基、未取代和取代C2-C20炔基、未取代和取代C1-C20烷氧基、未取代和取代C6-C20芳烷基、未取代和取代C6-C30芳氧基、未取代和取代C2-C30杂芳氧基、未取代和取代C1-C20杂烷基和未取代和取代C2-C30杂芳烷基，且R₃和R₄是除氢以外的取代基，a、b、c、d、e和f各自独立地选自0至10且包括端点的整数，且同时满足表达式a+b+c＞0和d+e+f＞0。