[发明专利]控制晶片直流自偏压及补偿直流电极与晶片间的静电引力的方法和装置

摘要

本发明涉及一种控制晶片直流自偏压的方法和装置及补偿直流电极与晶片间的静电引力的方法和装置。具体包括：通过检测一个能够表征晶片直流自偏压大小的参量来间接获得直流自偏压的值，然后将该值经过控制或转换环节分别用于对射频电源以及直流电源公共参考端的控制，以达到稳定控制晶片上的直流自偏压和补偿由该直流自偏压造成的晶片与直流电极间静电引力不平衡。因此，本发明的实现一方面能够稳定地控制晶片上的直流自偏压，获得良好的刻蚀速率和沉积速率等工艺参数；另一方面可以自动地对由晶体自偏压造成的两个直流电极与晶片间的静电引力不平衡进行补偿，使静电卡盘能够更好的吸附晶片，从而减小了氦气漏率，改善了工艺结果。

主权项

1.一种控制晶片直流自偏压的方法，用于在等离子体刻蚀设备工艺过程中控制晶片上的直流自偏压，其特征在于，包括：A、测量等离子体刻蚀设备中能够表征晶片直流自偏压大小的表征参量；B、根据测得的表征参量来确定晶片上的直流自偏压值；C、根据步骤B确定的晶片上的直流自偏压值对等离子体刻蚀设备的射频电源输出功率进行调节，进而实现对晶片直流自偏压的控制。