[发明专利]极度圆孔屏蔽的栅槽MOSFET器件及其生产工艺有效
| 申请号： | 200610171392.3 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101211965A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 常虹;戴嵩山;李铁生;王宇 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进的槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，该器件包括一个被源区围绕的槽栅，源区被围绕在位于基片底面上的漏区之上的体区中。MOSFET单元进一步包括一个位于槽栅下面且与槽栅绝缘的屏蔽栅槽(SGT)结构，SGT结构基本是由一个旁向膨胀超出槽栅以及被充填有槽栅材料的亚麻介质层覆盖的圆孔组成。圆孔是通过哈同性腐蚀在槽栅底部生成的并通过氧化物绝缘层与槽栅分隔开来。圆孔的旁向膨胀超出槽壁，该旁向膨胀可用作垂直调整的界标，控制槽栅的深度。取决于位于作为槽栅之下一个圆孔的SGT结构之上的槽栅的可控深度，MOSFET器件的栅漏电容Cgd可以减小。 | ||
| 搜索关键词： | 极度 圆孔 屏蔽 mosfet 器件 及其 生产工艺 | ||
【主权项】：
1.一种槽金属氧化物半导体场效应晶体管器件，所述MOSFET器件包括一个被源区围绕的槽栅，所述源区被围绕在位于基片底面上的漏区之上的体区中，其特征在于，所述MOSFET单元进一步包括：一个位于所述槽栅下面且与所述槽栅绝缘的屏蔽栅槽结构，其中，所述屏蔽栅槽结构基本由一个旁向膨胀超出所述槽栅的圆孔组成。
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