[发明专利]用于存储多值数据的非易失性半导体存储器无效
| 申请号： | 200610171285.0 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1992082A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 河野和幸 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C11/56;G11C16/26;G11C16/10;G11C16/34;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李芳华;邸万奎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明的非易失性半导体存储器包括：存储单元阵列，包括用于存储多个页面上的数据的多值存储单元；数据处理电路，用于执行用于从存储单元阵列读取数据的读取操作和用于以页面为单元向存储单元阵列写入数据的编程操作；以及控制电路，用于控制数据处理电路的操作，该控制电路根据执行编程操作的页面顺序，通过多值存储单元的阈值电压沿正向转换来执行编程操作的方式，来改变与多值存储单元的阈值电压分布对应的数据分配。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储 数据 非易失性 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器，包括：存储单元阵列，包括用于存储多个页面上的数据的多值存储单元；数据处理电路，用于执行用于从该存储单元阵列读取数据的读取操作、和用于以页面为单元向该存储单元阵列写入数据的编程操作；以及控制电路，用于控制该数据处理电路的操作，其中该控制电路根据将执行编程操作的页面顺序，以执行多值存储单元的阈值电压的正向转换来执行编程操作的方式，改变与多值存储单元的阈值电压分布对应的数据分配。
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