[发明专利]包括可变离子注入条件的半导体工艺评估方法有效
| 申请号： | 200610171283.1 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1992190A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张圆培;金承彻;崔灿承;金民锡;金治完;李善鎔;河商录 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的半导体工艺评估方法在不同的离子注入条件下利用离子束进行测试半导体衬底(例如测试晶片)的多重扫描。然后测量在不同的离子注入条件下利用所述离子束扫描的所述测试半导体衬底的参数，从而实施所述半导体工艺评估。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 可变 离子 注入 条件 半导体 工艺 评估 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体工艺评估方法，包括：将测试半导体衬底分成多个区域；在不同的离子注入条件下利用离子束扫描所述区域；以及测量在不同的离子注入条件下利用所述离子束扫描的所述测试半导体衬底的所述多个区域的参数，从而实施所述半导体工艺评估。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
