[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610171255.X | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1992320A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 任劲赫 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/822;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器包括：半导体衬底，其内限定有光电二极管区和晶体管区；第一栅电极和第二栅电极，该第一栅电极和该第二栅电极形成于该半导体衬底的光电二极管区上，且栅绝缘层夹在该半导体衬底的光电二极管区与该第一栅电极和该第二栅电极之间，并且该第一栅电极和该第二栅电极彼此之间具有预定间隔；第一导电型扩散区，其形成于该第一栅电极的两侧的光电二极管区以及该第二栅电极的两侧的光电二极管区中；侧壁绝缘层，其形成于该第一栅电极的两侧面和该第二栅电极的两侧面上；以及浮置扩散区，其形成于该晶体管区中。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互补型金属氧化物半导体图像传感器，其包括：半导体衬底，其内限定有光电二极管区和晶体管区；第一栅电极和第二栅电极，该第一栅电极和该第二栅电极形成于该半导体衬底的光电二极管区上，且栅绝缘层夹在该半导体衬底的光电二极管区与该第一栅电极和该第二栅电极之间，并且该第一栅电极和该第二栅电极彼此之间具有预定间隔；第一导电型扩散区，其形成于该光电二极管区的、位于该第一栅电极的两侧的部分中以及该光电二极管区的、位于该第二栅电极的两侧的部分中；侧壁绝缘层，其形成于该第一栅电极的两侧面和该第二栅电极的两侧面上；以及浮置扩散区，其形成于该晶体管区中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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