[发明专利]控制磁致电阻传感器的自由层中的磁致伸缩的方法无效
| 申请号： | 200610171216.X | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1988002A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 太龙平;杜利普·A·韦利皮蒂亚 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G01R33/09;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于控制磁致电阻传感器的自由层中的磁致伸缩的方法。沉积被钉扎层结构且然后沉积优选为Cu的间隔层。氧被引入到该间隔层中。氧可以在间隔层的沉积期间或者在已经沉积间隔层之后被引入。然后自由层结构沉积在间隔层之上。帽层例如Ta可以沉积在自由层结构之上。该传感器被退火从而设置被钉扎层的磁化。在退火该传感器的工艺中氧迁移到间隔层外。退火之后，没有显著量的氧存在于间隔层或自由层结构中，仅微量的氧存在于Ta帽层中。尽管没有氧存在于间隔层或自由层中，但是制造期间氧的引入使得完成的自由层具有较低磁致伸缩(即更大的负磁致伸缩)。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 致电 传感器 自由 中的 伸缩 方法 | ||
【主权项】：
1.一种控制磁致电阻传感器中的磁自由层的磁致伸缩的方法，该方法包括：沉积非磁间隔层；将氧引入到该间隔层中；在该非磁间隔层之上沉积磁材料层；以及加热该非磁间隔层和该磁材料。
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