[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200610171145.3 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101005021A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 和泉直生 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01L21/78;B28D5/00;B28D5/02;B26D1/00;B26D1/143 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是：在进行晶片的切割时，一边抑制刀片的孔眼堵塞，一边减小碎裂的尺寸。在切削晶片(34)时，使用包含粒度为#3000以上的磨粒、尖端部呈V字形的金属粘结刀片(31)，使V字形的肩部分深入到晶片(34)的表面下侧(从基板表面起算的深度Z2)进行切削。通过如此加工，切削阻力上升，可防止刀片的孔眼堵塞。由此，可一边防止刀片的孔眼堵塞，一边将碎裂的尺寸抑制得很小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，利用刀片来切削基板，其特征在于，进行第1工序，其中使用磨粒的粒度为#3000以上、与行进方向垂直的剖面的尖端部平坦面的宽度为刀片宽度的40％以下的呈V字形的第1刀片，使上述V字形的肩部分比上述基板表面更深入内部侧，从而切削上述基板.
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
