[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200610170117.X | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1992203A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 金唇翰 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种CMOS图像传感器的制造方法。该方法包括以下步骤：在衬底上形成焊盘之后，涂布氧化物层和氮化物层；通过蚀刻该氧化物层和氮化物层露出并清洗该焊盘；涂布焊盘保护层；执行氢退火工艺；执行微透镜工艺、平坦化工艺以及滤色镜阵列工艺；以及去除焊盘区域的焊盘保护层。从而防止氮化物层的脱落现象和圆形缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种CMOS图像传感器的制造方法，该方法包括以下步骤：在衬底上形成焊盘之后，涂布氧化物层和氮化物层；通过蚀刻该氧化物层和该氮化物层露出并清洗该焊盘；涂布焊盘保护层；执行氢退火工艺；执行微透镜工艺、平坦化工艺以及滤色镜阵列工艺；以及去除焊盘区域的焊盘保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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