[发明专利]非挥发性半导体存储装置

摘要

现有的虚地方式的存储装置中，在存储单元(参考单元)中获得差动式的读出判定操作中成为基准的特性时，由于通过与参考单元邻接的单元的漏泄电流在过程中产生偏差，所以难以实现稳定的读出。本发明公开了一种非挥发性半导体存储装置，对与参考单元邻接的存储单元，设置位线电位选择装置，用于对电荷累积侧的位线施加写入电位，对另一侧的位线施加接地电位。利用该结构对邻接单元进行写入操作，由于从参考单元到邻接单元的漏泄电流消失，因此能够将参考单元的原有特性作为基准侧特性，反映到读出操作中，能够实现稳定的读出。

主权项

1、一种虚地方式的非挥发性半导体存储装置，在行方向和列方向排列的存储单元阵列内的若干个非挥发性存储单元之间，源极和漏极共同连接作为位线使用，其特征在于，所述若干个非挥发性存储单元包括：参考单元和邻接单元；所述参考单元用于获得差动式的读出判定操作中成为基准的特性；所述邻接单元与所述参考单元中的源极和漏极之中的一极共享的同时，与相同的字线连接；所述非挥发性半导体存储装置具有邻接单元写入电路，用于当所述字线被激活，所述参考单元成为导通状态时，形成所述邻接单元保持在非导通状态的写入状态。