[发明专利]一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管无效
申请号: | 200610169829.X | 申请日: | 2006-12-29 |
公开(公告)号: | CN1996629A | 公开(公告)日: | 2007-07-11 |
发明(设计)人: | 沈光地;陈依新;韩金茹 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 沈波 |
地址: | 100022*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管,属于半导体光电子技术领域。包括上电极(10)、电流扩展层(20)、上限制层(30)、有源区(400)、下限制层(50)、缓冲层(60)、衬底(70)、下电极(80),DBR反光层(90),在上电极与电流扩展层之间设置有导电透光层,电流阻挡层(120)设置在电流扩展层里面或下面或上面,由导电透光层、电流扩展层和电流阻挡层结合形成电流输运窗口层。本发明制作工艺简单,电流输运增透窗口层减小了无效电流产生的光及热损耗;增大了出光角度,提高了光提取效率,增加了发光强度,器件更有利于大电流下工作;小尺寸管芯可获得大光强高光功率输出,产量高;成本低,适合批量生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 电流 输运 窗口 结构 发光二极管 | ||
【主权项】:
1、一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管,包括有从上往下依次纵向层叠生长的上电极(10)、电流扩展层(20)、上限制层(30)、有源区(400)、下限制层(50)、缓冲层(60)、衬底(70)、下电极(80),其特征在于,在上电极(10)与电流扩展层(20)之间设置有导电透光层,还包括设置在电流扩展层(20)里面或下面或上面的电流阻挡层(120),由导电透光层、电流扩展层(20)和电流阻挡层(120)结合形成电流输运窗口层。
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