[发明专利]半导体硅片刻蚀工艺的控制方法无效
| 申请号： | 200610169566.2 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101207004A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 陈卓 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66;H01L21/3065;C23F4/00;G05B11/01;G05B19/04 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体硅片刻蚀工艺的反馈控制方法，通过刻蚀腔室上已有的用于对刻蚀工艺进行终点控制的光学发射光谱仪OES，检测硅片刻蚀终点时，刻蚀腔室内等离子体的光谱信息。对检测到的光谱信息进行处理，并根据处理的结果，确定刻蚀工艺参数的调整值，并对工艺参数进行调整，实现对半导体硅片刻蚀工艺的反馈控制。节省了另外集成在线检测设备，进行反馈控制的复杂，控制过程简单、控制精确、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 硅片 刻蚀 工艺 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体硅片刻蚀工艺的反馈控制方法，所述硅片刻蚀工艺在刻蚀腔室中进行，所述的刻蚀腔室上设有光学散射光谱仪OES，用于对刻蚀工艺进行终点控制，其特征在于，包括步骤：A、通过所述的OES检测硅片刻蚀终点时，刻蚀腔室内等离子体的光谱信息。B、对检测到的光谱信息进行处理，并根据处理的结果，确定刻蚀工艺参数的调整值，并对工艺参数进行调整。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
