[发明专利]蒸发源和使用该蒸发源来沉积薄膜的方法无效
| 申请号： | 200610169203.9 | 申请日： | 2006-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1990902A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 许明洙;古野和雄;翰尚辰;安宰弘;郑锡宪 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/54;C23C14/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;谭昌驰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蒸发源和用于沉积薄膜的方法，该蒸发源包括：熔罐，具有用于放置沉积材料的预定空间和至少一个遮挡件，遮挡件位于熔罐内部，并与所述预定空间平行，以将熔罐划分成多个通道；加热单元；至少一个喷嘴，与熔罐流体连通，喷嘴具有多个喷口。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸发 使用 沉积 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种蒸发源，包括：熔罐，包含用于放置沉积材料的预定空间和至少一个遮挡件，所述遮挡件位于所述熔罐内部，并与所述预定空间平行，以将所述熔罐划分成多个通道；加热单元；至少一个喷嘴，与所述熔罐流体连通，所述喷嘴具有多个喷口。
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