[发明专利]用于半导体存储器件的片上终端电路与方法有效
| 申请号： | 200610168277.0 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1992072A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 朴正勋;梁仙锡 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体存储器件的片上终端电路，其包括：ODT(片上终端)输入驱动单元，其以根据具有至少两位的第一码Pcode<0：N>的电阻比为基础来分割输入电压并输出第一线电压；第一ODT控制单元，其根据第一线电压与参考电压是否彼此匹配来计数第一码或重置第一码至第一设定值；ODT输出驱动单元，其基于根据第一码的电阻比与根据具有至少两位的第二码的电阻比来分割输入电压并输出第二线电压；以及第二ODT控制单元，其根据第二线电压与参考电压是否彼此符合来计数第二码或重置第二码至第二设定值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 存储 器件 终端 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体存储器件的片上终端电路，包括：驱动单元，其配置为接收具有至少两位的码、以根据所述码的所述驱动单元的电阻比为基础来分割输入电压、以及输出所述经分割的电压；以及片上终端控制单元，其配置为基于根据所述驱动单元的所述电阻比和外部电阻器单元的电阻比的线电压是否符合参考电压来计数所述码或重置所述码至初始值。
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