[发明专利]氮化镓基发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200610167195.4 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1996627A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 全东珉;韩在镐;姜弼根 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种GaN基LED，包括：基板；形成在基板上的n型GaN层；形成在n型GaN层的预定区域上的活性层；形成在活性层上的p型GaN层；形成在p型GaN层上的透明电极；形成在透明电极上的p电极；形成在其上未形成有活性层的n型GaN层上的n型电极；以及形成在透明电极与n型电极之间得到的结构上的保护膜，该保护膜由等离子体氧化的透明层构成。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基LED，包括：基板；n型GaN层，形成在所述基板上；活性层，形成在所述n型GaN层的预定区域上；p型GaN层，形成在所述活性层上；透明电极，形成在所述p型GaN层上；p电极，形成在所述透明电极上；n型电极，形成在其上未形成有所述活性层的所述n型GaN层上；以及保护膜，形成在所述透明电极与所述n型电极之间得到的结构上，所述保护膜由等离子体氧化的透明层构成。
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