[发明专利]倒装型半导体器件的制备方法以及由该方法制备的半导体器件无效
| 申请号： | 200610166994.X | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1983540A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 加藤馨;浅野雅俊;竹中博之;隅田和昌 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/603;H01L21/56;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制备方法，在该半导体器件中通过多个焊锡电极将电路基板和半导体芯片连接起来，所述方法包括将非清洁型焊剂施用在电路基板和半导体芯片中的至少一部分焊盘上；将底层填料施用在电路基板或半导体芯片上；配置半导体芯片和电路基板；并通过热压连接半导体芯片和电路基板，并涉及由该方法所制备的半导体器件。通过使用该方法，由于不需要将会使作为密封剂的底层填料的可靠性变差的焊剂组分加入至底层填料中，因而半导体器件的可靠性不会变差。此外，由于不使用薄膜的插入步骤，因此安装可以在相对短的时间内进行。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 半导体器件 制备 方法 以及 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制备方法，在该半导体器件中电路基板和半导体芯片通过多个焊锡电极连接，所述方法包括：将非清洁型焊剂施用在电路基板和半导体芯片中的至少一部分焊盘上；将底层填料施用在电路基板或半导体芯片上；将半导体芯片和电路基板位置对齐；并通过热压连接连接半导体芯片和电路基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
