[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610166739.5 | 申请日： | 2006-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1979860A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 渡濑和美;滨谷毅 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/822 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体器件及其制造方法，通过在半导体衬底(11)的至少1个角部(16)设置与缓冲镀层膜(14)电连接的导电区(15－1)，使组件封固树脂或缓冲镀层膜(14)表面积存的电荷利用导电通路流入到导电区(15－1)，从而能降低组件封固树脂或缓冲镀层膜(14)表面积存的电荷密度，抑制放电。其结果，通过抑制放电，不对外部输入输出端子施加高压，IC电路不用说，连接IC电路的电路用金属布线也能防止熔断，还能防止层间绝缘膜(18)破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于，具有形成半导体集成电路和元件电极的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的保护绝缘膜；在所述半导体集成电路区的所述保护绝缘膜上形成的缓冲镀层膜；以及与所述缓冲镀层膜电连接的导电区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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