[发明专利]电解硅无效
| 申请号： | 200610166373.1 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101012566A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | 杨贻方 | 申请（专利权）人： | 杨贻方 |
| 主分类号： | C25B1/00 | 分类号： | C25B1/00;C01B33/021;C01B33/03 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215200江苏省吴江市吴江经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高纯硅的提炼方法，为解决目前硅提纯过程中消耗电力巨大，产量都有很大限制，而且生产成本居高不下的问题，本发明采用用石英砂、焦炭在电炉中强热制得粗硅，接着使粗硅跟氯气反应，再经蒸馏制得比较纯的四氯化硅，然后在纯四氯化碳溶液中进行电解即可得到高纯硅与氯气，这样就可以使高纯度硅的生产成本大幅度降低，适合太阳能发电及半导体工业。 | ||
| 搜索关键词： | 电解 | ||
【主权项】：
1.一种高纯硅的提炼方法，其特征是采用石英砂、焦炭在电炉中强热制得粗硅，接着使粗硅跟氯气反应，再经蒸馏制得比较纯的四氯化硅，然后在纯四氯化碳溶液中进行电解即可得到高纯硅与氯气。
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