[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610165955.8 | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1979890A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 相马充;畑博嗣;赤石实 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L27/092;H01L21/331;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置。本发明所要解决的课题是在现有半导体装置中由构成分离区域的P型埋入扩散层横向扩散宽度扩展等而引起的难于得到所希望的耐压特性的问题。解决课题的手段是，本发明的半导体装置在P型单晶硅衬底(6)上形成外延层(7)。在外延层(7)上形成分离区域(3)、(4)、(5)而划分成多个元件形成区域。在元件形成区域之一中，形成NPN晶体管(1)。且在作为NPN晶体管(1)的基极区域使用的P型扩散层(10)与P型分离区域(3)之间形成N型扩散层(12)。根据该结构能使基极区域－分离区域之间难于短路而提高NPN晶体管(1)的耐压特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，其包括：一导电型的半导体衬底、所述半导体衬底上形成的逆导电型外延层、把所述外延层划分成多个元件形成区域的一导电型分离区域、跨在所述半导体衬底和所述外延层上形成的逆导电型埋入扩散层、形成在所述外延层上作为集电极区域使用的逆导电型第一扩散层、形成在所述外延层上作为基极区域使用的一导电型扩散层、形成在所述一导电型扩散层上作为发射极区域使用的逆导电型第二扩散层，且所述外延层上在所述分离区域与所述一导电型扩散层之间形成有逆导电型的第三扩散层。
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