[发明专利]一种铌酸钾钠系无铅压电陶瓷的激光制备方法无效

专利信息
申请号: 200610165256.3 申请日: 2006-12-15
公开(公告)号: CN1974481A 公开(公告)日: 2007-06-06
发明(设计)人: 季凌飞;蒋毅坚;付宗义 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/64
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 代理人: 刘萍
地址: 100022*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种铌酸钾钠系无铅压电陶瓷的激光制备方法属于无铅压电陶瓷领域。现有技术难以得到具有晶粒的取向生长特征的高致密度铌酸钾钠系压电陶瓷。本发明按NaxK1-xNbO3配料、预烧、压片成陶瓷素坯后,以激光为热源进行辐照预热,时间30~60s,温度150~300℃;预热后升温,速度10~20℃/min,升温至800~1100℃时向该陶瓷试样喷氧气或氮气;30~120s后沿轴向方向作提拉运动,速度为0.02~0.06mm/s;提拉1~10mm后降温关光,继续通氧气或氮气3~10min。该陶瓷平均相对密度大于97%,Tc可达400℃以上,d33在30~70pC/N之间。
搜索关键词: 一种 铌酸钾钠系无铅 压电 陶瓷 激光 制备 方法
【主权项】:
1、一种铌酸钾钠系无铅压电陶瓷的激光制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)以Nb2O5、K2CO3、Na2CO3为原料,按照化学式NaxK1-xNbO3 进行配料、预烧、压片成陶瓷素坯后,以激光为热源进行辐照预热,预热时间30~60s,预热温度150~300℃;2)预热结束后升温,升温速度10~20℃/min,升温至800~1100℃时向该陶瓷试样喷氧气或氮气;3)经30~120s后,将上述陶瓷试样沿轴向方向作提拉运动,速度为0.02~0.06mm/s;4)完成提拉距离1~10mm后,降温关光,继续通氧气或氮气3~10min;在上述步骤3)和步骤4)的过程中一直向该陶瓷试样喷氧气或氮气,整 个过程中的温度控制是以激光为热源进行辐照。
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