[发明专利]硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法有效
| 申请号： | 200610165127.4 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101202225A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 霍秀敏 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇;郭宗胜 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法，用于在硅片上进行浅沟槽隔离刻蚀，所述的硅片为多层结构，包括硬质掩模层、氧化层、硅基层，首先进行硬质掩模层和氧化层的刻蚀；然后对硅基层刻蚀沟槽，所采用的刻蚀工艺气体为包含HeO气体的混合气体，HeO气体的流量为15～25sccm，刻蚀过程中下射频电源的功率为80～100W。通过降低下射频电源的功率和适当增加HeO的方法，使沟槽的侧壁比较光滑，并减小了聚合物在沟槽侧壁上的沉积，从而改善了沟槽侧壁剖面的弧度，主要适用于对半导体硅片进行浅沟槽隔离刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 沟槽 隔离 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法，用于在硅片上进行浅沟槽隔离刻蚀，所述的硅片为多层结构，包括硬质掩模层、氧化层、硅基层，其特征在于，包括步骤：A、硬质掩模层刻蚀步；B、氧化层刻蚀步；C、硅基层刻蚀步，用于对硅基层刻蚀沟槽，所采用的刻蚀工艺气体为包含HeO气体的混合气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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