[发明专利]一种利用原子力显微镜的套刻对准方法及装置无效
申请号: | 200610164888.8 | 申请日: | 2006-12-07 |
公开(公告)号: | CN1971845A | 公开(公告)日: | 2007-05-30 |
发明(设计)人: | 李晓娜;韩立 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66;B82B3/00;G12B21/02;G12B21/08;G12B21/20;G01N13/16 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人: | 关玲;李新华 |
地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种利用原子力显微镜的套刻对准方法及装置,其方法包括以下步骤:(1)在第一层图形写入的同时写入套刻对准标记;(2)在第二层图形刻写之前对其工作区域扫描成像,根据扫描成像的结果对第二层图形结构的坐标进行修正;(3)以修正后的图形坐标刻写第二层图形结构;(4)多层图形结构的坐标均依据原子力显微镜扫描结果进行修正,从而完成套刻加工。应用上述套刻对准方法的装置,包括以压电陶瓷闭环定位系统作为扫描器的原子力显微镜、光学观测镜、机械调节平台与电压开关电路[8],电压开关电路[8]控制加工电压。本发明利用原子力显微镜自身的成像功能与压电陶瓷闭环定位系统[5]进行测量与定位,在不引进复杂的高精度光学对准设备的条件下可实现高精度的套刻加工。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 原子 显微镜 对准 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、一种利用原子力显微镜的套刻对准方法,其特征在于包含以下几个步骤:(1)利用原子力显微镜刻蚀技术在制作第一层图形的同时制作套刻对准标记,计算机记录对准标记相对于该工作区域的坐标值;(2)将探针移出工作区域进行制备第二层图形的准备,再通过原子力显微镜自身配备的低分辨率光学观测系统与低精度机械调节系统将探针移至工作区域内;(3)利用原子力显微镜的成像功能,在制备第二层图形之前,对此时的工作区域进行扫描,计算机记录对准标记相对于此时的工作区域的坐标值;(4)通过计算机对原子力显微镜测量得到的对准标记坐标值与原记录的对准标记坐标值之间的差值进行计算,得到位移、角度的补偿值;(5)利用该补偿值修正第二层图形的坐标,通过压电陶瓷闭环定位系统,按照修正后的坐标,精确控制第二层图形的刻写;(6)对于多于两层的图形结构的制造,利用所述套刻对准标记,逐层按照步骤(2)(3)(4)(5)进行刻写,实现多层图形结构的高精度套刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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