[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610164220.3 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1979899A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 横山成之 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 孙纪泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括：硅基板，在硅基板上提供的栅绝缘体，在栅绝缘体上提供的栅电极，在栅电极的侧面上提供的第一侧壁绝缘体，在第一侧壁绝缘体上提供的第二侧壁绝缘体，以及源和漏扩散区，其中栅绝缘体在栅极长度方向的端部直接处于第一侧壁绝缘体在栅电极侧表面方向的下端部之下，以及第二侧壁绝缘体覆盖栅绝缘体的端部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：硅基板；在硅基板上提供的栅绝缘体；在栅绝缘体上提供的栅电极；在栅电极的侧面上提供的第一侧壁绝缘体；在第一侧壁绝缘体上提供的第二侧壁绝缘体；以及源和漏扩散区，其中栅绝缘体在栅极长度方向的端部直接处于第一侧壁绝缘体在栅电极侧表面方向的下端部之下，以及第二侧壁绝缘体覆盖栅绝缘体的端部。
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