[发明专利]含酸性气体和基质气体的制品的制备方法有效

专利信息
申请号: 200610163511.0 申请日: 2003-04-02
公开(公告)号: CN1975415A 公开(公告)日: 2007-06-06
发明(设计)人: T·杰克希尔;R·贝内舍;J·库恩 申请(专利权)人: 液体空气乔治洛德方法利用和研究的具有监督和管理委员会的有限公司
主分类号: G01N33/00 分类号: G01N33/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 孙爱
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明公开了制备含有反应气体和基质气体的组合物的制品的方法。制造方法优选采用沸石从反应气体中和基质气体中去除水分,然后或者在已经预先真空烘焙并钝化的容器中,或者在注入该容器前,合并已减湿的气体。本发明生成具有改善存放期的稳定的标准气体组合物。
搜索关键词: 酸性 气体 基质 制品 制备 方法
【主权项】:
1.一种制备制品的方法,该方法包括步骤:i)用耐酸性气体的分子筛降低反应气体的水分含量,以形成已减湿的反应气体;ii)用减湿手段降低基质气体中的水分含量,以形成已减湿的基质气体;iii)在约30℃~约75℃的温度下,在不超过100托、优选不超过1托、更优选不超过0.01托的真空下,真空烘焙容器的内金属表面(优选包括与该容器连接的金属阀的任何金属表面)不少于1小时(优选不少于6小时,更优选不少于12小时),以形成该容器的已真空烘焙的内金属表面;iv)使该容器的已真空烘焙的内金属表面暴露于含有含硅化合物的第一流体组合物足够长的时间以使至少一些含硅化合物与存在的含氧化合物(优选选自水分、分子氧、金属氧化物及其混合物)反应,在至少一部分的该容器已真空烘焙的内金属表面上形成硅处理的表面,其中含硅化合物优选选自通式(II)范围内的化合物;v)抽空容器足够长时间以去除基本上所有未与含氧化合物反应形成硅处理表面的含硅化合物;vi)使硅处理表面暴露于第二流体组合物,该第二流体组合物包括反应气体,该反应气体浓度高于制品的期望反应气体浓度;vii)抽空容器足够长的时间以除去刚好够的第二流体组合物,以使延长了存放期的低浓度反应气体能够在容器中保持在期望的浓度;和viii)合并至少一部分的已减湿反应气体和至少一部分的已减湿基质气体,以在容器中形成期望的气体组合物。
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