[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法有效
| 申请号： | 200610162249.8 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1992237A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李昌德;洪玄硕 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;祁建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适于使用三轮掩模工序同时形成良好布图设计并去除阶梯差的薄膜晶体管基板制造方法。根据本发明的薄膜晶体管基板制造方法，包括：在基板上形成栅线；形成与栅线交叉并在其间具有栅绝缘膜的数据线；在栅线和数据线的交叉部分形成薄膜晶体管；在形成有薄膜晶体管的栅绝缘膜上形成钝化膜以后，形成用于露出将要形成接触孔和像素电极的区域的第一光刻胶图案；在沉积透明导电膜以后，形成第二光刻胶图案，该第二光刻胶图案暴露出形成于除将要形成接触孔和像素电极的区域以外区域的透明导电膜；以及在对由所述第二光刻胶图案暴露出的透明导电膜进行蚀刻以后，通过去除留在钝化膜上的第一和第二光刻胶图案形成钝化膜和像素电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管基板的制造方法，包括：在基板上形成栅线；形成与所述栅线交叉并在其间具有栅绝缘膜的数据线；在所述栅线和数据线的交叉部分形成薄膜晶体管；在形成有所述薄膜晶体管的栅绝缘膜上形成钝化膜以后，形成用于对将要形成接触孔和像素电极的区域进行开口的第一光刻胶图案；在形成有所述第一光刻胶图案的钝化膜的整个表面上沉积透明导电膜以后，形成第二光刻胶图案，该第二光刻胶图案暴露出形成于除将要形成接触孔和像素电极的区域以外区域的透明导电膜；以及通过对由所述第二光刻胶图案暴露出的透明导电膜进行蚀刻以后，通过去除留在钝化膜上的第一和第二光刻胶图案形成其上形成有接触孔的所述钝化膜和像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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