[发明专利]一种纳米导电凹土材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 200610161681.5 申请日: 2006-12-31
公开(公告)号: CN101000809A 公开(公告)日: 2007-07-18
发明(设计)人: 姚超;陈志刚;王车礼;李效棠;王德江;傅家绪;张良 申请(专利权)人: 江苏工业学院;江苏省凹土工程技术研究中心
主分类号: H01B1/00 分类号: H01B1/00;H01B13/00;C08K7/00;C08K9/00;B22F1/02;B82B3/00
代理公司: 南京知识律师事务所 代理人: 汪旭东
地址: 213016江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种纳米导电凹土材料的制备方法,该制备方法首先将凹土聚集体分散成纳米凹土棒晶,然后纳米凹土棒晶为核体,采用化学共沉淀技术在纳米凹土棒晶表面均匀包覆一层导电化合物前驱体,最后通过高温掺杂形成一维纳米导电凹土新材料。纳米凹凸棒土的热稳定性低于人工合成的纤维状核体材料,致使以往的包覆方法无法使导电层均匀连续而且牢固的附着在纳米凹凸棒土表面,本发明在包覆前的一次干燥和热处理提高了纳米凹凸棒土核体的热稳定性和表面活性,一方面使导电化合物前驱体均匀包覆在纳米凹凸棒土表面;另一方面确保了导电包覆层在二次干燥和热处理过程中不会脱落。制备的纳米导电凹土材料生产成本低、制备方法简单、导电性能好。
搜索关键词: 一种 纳米 导电 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种纳米导电凹土材料的制备方法,该制备方法首先将凹土聚集体分散成纳米凹土棒晶,然后纳米凹土棒晶为核体,采用膜覆盖技术在纳米凹土棒晶表面均匀包覆一层导电化合物前驱体,最后通过高温掺杂形成一维纳米导电凹土新材料。
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