[发明专利]半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610160943.6 | 申请日： | 2006-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1976076A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 渡部义昭;日野智公;小林俊雅;成井启修 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 董方源 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件具有高反射率，并且在反光层和半导体层之间具有高电接触属性。该半导体发光器件是通过在透明衬底上顺序层叠半导体层、反光层和保护层形成的。半导体层是通过顺序层叠缓冲层、GaN层、n型接触层、n型覆层、有源层、p型覆层和p型接触层形成的。反光层是通过在以例如从100℃到小于400℃的温度加热衬底的同时在p型接触层的表面上沉积Ag合金形成的。在形成了半导体层、反光层和保护层后，半导体层、反光层和保护层在预定时间中被以比在加热衬底时的温度范围高的温度范围内的环境温度加热。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体发光器件的方法，包括以下步骤：在透明衬底上顺序层叠第一传导层、有源层和第二传导层；通过在以第一温度范围加热所述透明衬底的同时在所述第二传导层的表面上沉积Ag和预定材料从而形成反光层；以及在形成了所述反光层后，在预定时间范围中以第二温度范围加热所述第一传导层、所述有源层、所述第二传导层和所述反光层，所述第二温度范围比所述第一温度范围高。
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