[发明专利]化学机械研磨浆料、化学机械研磨法及半导体装置的制法有效
| 申请号： | 200610160614.1 | 申请日： | 2006-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1974636A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 仕田裕贵;松井之辉;重田厚;平沢信一;加藤宽和;木下正子;西冈岳;矢野博之 | 申请（专利权）人： | JSR株式会社;株式会社东芝 |
| 主分类号： | C08J5/14 | 分类号： | C08J5/14;H01L21/304;H01L21/312 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 苗堃;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供能够确保有机膜的平坦性、且能够抑制刮痕产生的有机膜研磨用化学机械研磨浆料和化学机械研磨方法，以及布线阻抗和布线间容量被减少、且布线收率高的半导体装置的制造方法。有机膜研磨用化学机械研磨浆料含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 浆料 半导体 装置 制法 | ||
【主权项】：
1、有机膜研磨用化学机械研磨浆料，其特征在于，含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。
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