[发明专利]发光装置及电子机器有效
| 申请号: | 200610160315.8 | 申请日: | 2006-11-22 | 
| 公开(公告)号: | CN1992334A | 公开(公告)日: | 2007-07-04 | 
| 发明(设计)人: | 林建二;山内幸夫 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 | 
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H05B33/12;H05B33/04 | 
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | 一种发光装置,具备在主基板(10)上排列的多个有机EL元件(P1)、覆盖多个有机EL元件(P1)的有机缓冲层(19)、在有机缓冲层(19)上设置的第1气体阻挡层20第2气体阻挡层(21)。有机EL元件(P1),使用被电场激励后发光的有机化合物发光。在主基板(10)上,由有机EL元件(P1)带来阶差。有机缓冲层(19),由有机化合物形成,有机缓冲层上面的阶差小于阴极上面的阶差,大致平坦化。与由无机化合物形成的第1气体阻挡层(20)重叠的基板(10)上的区域,和与由无机化合物形成的第2气体阻挡层(21)重叠的基板(10)上的区域,不完全一致地重叠。用不容易出现裂纹或剥离的气体阻挡层,充分密封发光元件。 | ||
| 搜索关键词: | 发光 装置 电子 机器 | ||
【主权项】:
                1、一种发光装置,其特征在于,具备:多个发光元件,这些发光元件受到在基板上按照由绝缘性象素隔壁分离的阳极、有机发光层薄膜和阴极的顺序依次层叠的电场激励后发光;有机缓冲层,该有机缓冲层由有机化合物形成,覆盖比所述多个发光元件区域宽广的范围,由阶差比所述基板上的阴极上表面小、大致平坦化的有机化合物构成;以及第1及第2气体阻挡层,这些气体阻挡层由无机化合物形成,且配置在所述有机缓冲层的外侧,使所述多个发光元件免受外气侵害,仅所述第1气体阻挡层或所述第2气体阻挡层中的某一个,与基板上的由无机化合物构成的绝缘层表面相接,覆盖比有机缓冲层宽广的范围。
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
                
            H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





