[发明专利]半导体发光元件

摘要

本发明涉及一种除了高亮度和低驱动电压外，还能抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。所述半导体发光元件为在半导体衬底(1)上由晶体生长来至少形成n型包层(3)、活性层(4)、p型包层(5)、p型缓冲层(6)、p型接触层(7)，再在p型接触层上形成由ITO膜(8)构成的电流分散层的半导体发光元件，通过将Mg浓度为3.0×10¹⁷/cm³以下的低Mg浓度缓冲层(11)或不掺杂的缓冲层(12)做成以50nm以上的厚度设置到Mg掺杂的上述p型缓冲层中的一部分或全部上的结构，由此，可以有效抑制p型接触层(7)的掺杂剂Zn的扩散。

主权项

1.一种半导体发光元件，其为在半导体衬底上至少形成n型包层、活性层、p型包层、p型缓冲层、p型接触层，在p型接触层上形成由金属氧化物材料构成的电流分散层的半导体发光元件，其特征是，所述活性层的组成是(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中，0≤x≤1，0.4≤y≤0.6)，所述n型包层和所述p型包层的组成分别是(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中，0.6≤x≤1，0.4≤y≤0.6)、所述p型缓冲层的组成是AlxGa1-xAs(其中，0.45≤x≤1)，且所述p型包层和所述p型缓冲层的主要掺杂剂是Mg，所述接触层的主要掺杂剂是Zn，并且，将所述p型缓冲层的一部分或全部做成Mg浓度为3.0×1017/cm3以下且膜厚为50nm以上的低Mg浓度缓冲层。