[发明专利]半导体装置的检查方法及装置无效
| 申请号： | 200610159898.2 | 申请日： | 2006-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1963548A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 二川清 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R31/308;G01R31/311;G01R31/265;H01L21/66;G01N27/82 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种提高扫描显微镜像的空间分辨率的单元。它具备：作为雷射光，向IC芯片(110)照射基于与基准信号同步了的调制信号进行强度调制所得的调制雷射光，接受来自磁通量计(120)的磁场信号，提取与调制频率相同频率成分的信号的检波器(130)；以及根据所述检波所得的信号来显示磁场分布的像的单元(140)，所述调制信号的频率高于100kHz。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 检查 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检查方法，其特征在于，包含：生成基于调制信号进行强度调制所得的调制雷射光，用所述调制雷射光相对地扫描试料的步骤；用磁场检出器检出来自所述试料的磁场的步骤；检出用所述磁场检出器检出了的磁场信号中与所述调制信号相同频率成分的信号的步骤；以及把检波所得的信号作为像显示用信号而输出的步骤，所述调制信号的频率高于100kHz。
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