[发明专利]表面声波滤波器、平衡型电路以及通信设备无效
| 申请号: | 200610159897.8 | 申请日: | 2003-03-03 |
| 公开(公告)号: | CN1945969A | 公开(公告)日: | 2007-04-11 |
| 发明(设计)人: | 中村弘幸;大西庆治;井上孝 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H03H9/64 | 分类号: | H03H9/64;H03H9/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 刘晓峰 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 一种可以取得充分平衡特征的表面声波滤波器。该表面声波滤波器包括:压电基片;形成在压电基片上且与平衡型端子连接的第一IDT电极;形成在压电基片上且与平衡型端子或非平衡型端子连接的第二IDT电极;分别将第一IDT电极与第二IDT电极连接到平衡型端子或非平衡型端子的连接电极;以及绝缘薄膜,该绝缘薄膜形成在压电基片与连接电极之间,而不形成在压电基片与第一IDT电极以及第二IDT电极之间。 | ||
| 搜索关键词: | 表面 声波 滤波器 平衡 电路 以及 通信 设备 | ||
【主权项】:
1.一种表面声波滤波器,包括:压电基片;形成在压电基片上且与平衡型端子连接的第一IDT电极;形成在压电基片上且与平衡型端子或非平衡型端子连接的第二IDT电极;分别将第一IDT电极与第二IDT电极连接到平衡型端子或非平衡型端子的连接电极;以及绝缘薄膜,该绝缘薄膜形成在压电基片与连接电极之间,而不形成在压电基片与第一IDT电极以及第二IDT电极之间。
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