[发明专利]延迟锁相回路电路有效
| 申请号： | 200610159334.9 | 申请日： | 2006-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1941173A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 许晃 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/22 | 分类号： | G11C7/22;G11C11/406;G11C11/4076 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于同步动态随机存取存储器(SDRAM)的延迟锁相回路(DLL)电路。若锁定状态由于指示包括于DRAM中的延迟复制模型化单元的延迟突然变化的外部变化(诸如tCK或电源电压的变化)而被破坏，则可通过在该DLL电路中由监测该状态的电路产生内部重设信号并接着使用粗延迟值来实施相位更新，而在某一时间(例如，200tCK)内恢复该锁定状态。 | ||
| 搜索关键词： | 延迟 回路 电路 | ||
【主权项】：
1.一种以同步于外部时钟方式操作的同步存储器装置，其包含：延迟锁相回路，其用于执行相位更新以产生锁定状态的延迟锁相回路时钟，并在该锁定状态下以较小延迟量来实施该相位更新；及控制单元，其用于在该锁定状态被外部变化破坏时重设该延迟锁相回路。
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