[发明专利]电子发射元件的制备方法有效
| 申请号： | 200610157040.2 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101192494A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 柳鹏;范守善;刘亮;姜开利 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/316;H01J29/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备电子发射元件的方法，该方法包括如下步骤：提供一基板；在基板上制备一对下电极；在下电极上放置多个碳纳米管元件；在碳纳米管元件表面制备上电极；形成碳纳米管元件的间隙。该电子发射元件可应用于表面传导电子发射显示装置(Surface－Conduction Electron Emitter Display，简称SED)中。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 元件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子发射元件的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板；间隔设置两个平行的下电极于该基板表面；沿垂直于下电极方向设置多个碳纳米管元件于下电极上；对应设置两个上电极于下电极上，并将上述碳纳米管元件固定于上电极与下电极之间；以及形成一间隙于位于平行电极之间的碳纳米管元件间。
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