[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200610156237.4 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1992369A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 加藤清;斋藤利彦;高野圭惠 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;G11C13/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种具有更高功能和可靠性的存储元件的半导体器件、以及一种技术即以低成本及高成品率制造所述半导体器件而不会使工艺和器件复杂化。作为存储元件的形状，使用如下形状：其周边具有凹凸部的矩形；具有一个或多个弯曲部分的“之”字形形状；梳齿形；以及其内部具有开口(空间)的环形等。此外，还可以使用长边和短边的比率大的长方形、长径和短径的比率大的椭圆形等。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：具有第一导电层、第二导电层、以及夹在所述第一导电层和所述第二导电层之间的有机化合物层的存储元件，其中所述第一导电层和所述第二导电层中的至少一个具有至少弯曲一次的俯视形状。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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