[发明专利]在选择性抑制烧结(SIS)工艺中减少粉末废料的方法无效
| 申请号： | 200610156219.6 | 申请日： | 2003-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1982039A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | B·克斯尼维斯 | 申请（专利权）人： | 南加利福尼亚大学 |
| 主分类号： | B29C67/00 | 分类号： | B29C67/00;B29C67/04;B28B1/00;B22F3/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示了在三维制造中选择性抑制烧结的方法和系统。本发明所提供的方法和系统在制作过程中利用选择性加热装置来有选择地烧结区域，从而减少废料并提高效率。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 抑制 烧结 sis 工艺 减少 粉末 废料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制作三维物体的方法，该方法包括以下步骤：提供一粉末材料层；结合抑制剂有选择地沉积在所述粉末材料层的所选区域上，其中根据所述三维物体的横截面设计来选择结合抑制剂所要沉积的所述区域；使用一加热板通过烧结所述粉末材料层的未受抑制的区域来促使所述未受抑制的区域大致同时结合，其中，所述促使结合的步骤包括烧结所述粉末材料层的未受抑制的区域，所述烧结步骤包括使用一辐射加热板来加热所述粉末材料层的整个层面，所述辐射条包括使用一计算机来控制两个隔离暴露的板的位置，所述隔离暴露的板在所述加热板的下方移动，且当所述加热板横穿所述粉末材料层时，仅仅暴露所述加热板的一必要的部分，并且在所述烧结步骤之前使暴露的层面最小，从而减小所使用的粉末材料的量；以及重复所述提供、所述有选择地沉积以及所述促使结合的步骤，直到形成所述三维物体为止。
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