[发明专利]双气隙电磁结构有效
| 申请号： | 200610156118.9 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101212150A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 刘建圣;林柏衡;卓英吉;张裕修 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H02K1/06 | 分类号： | H02K1/06;H02K1/27;H02K21/00 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种双气隙电磁结构，其包括一导磁盘组、一轴向永磁、一径向永磁及一线圈，所述导磁盘组具有多个磁极面，所述轴向永磁是用以与所述导磁盘组的部份磁极面构成所述电磁结构的轴向气隙，所述径向永磁是用以与所述导磁盘组的部份磁极面构成所述电磁结构的径向气隙，所述线圈是单相轴向绕线设置于所述导磁盘组内，藉此提升输出转矩、增加运作效率，并达到小型化、低成本等目的。 | ||
| 搜索关键词： | 双气隙 电磁 结构 | ||
【主权项】：
1.一种双气隙电磁结构，其特征在于，包括：一导磁盘组，其具有多个磁极面；一轴向永磁，是用以与所述导磁盘组的部份磁极面构成所述电磁结构的轴向气隙；一径向永磁，是用以与所述导磁盘组的部份磁极面构成所述电磁结构的径向气隙；一线圈，是设置于所述导磁盘组内。
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