[发明专利]一种掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅有效
| 申请号： | 200610154949.2 | 申请日： | 2006-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1995487A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;朱鑫;汪雷;席珍强;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开的掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅，含有浓度为1×1015～1×1017/cm3的磷或硼，其特征是还含有浓度为1×1016～1×1019/cm3的锗。本发明利用锗能够钉杂硅中位错提高机械强度的性质，在原来掺磷或硼铸造多晶硅的基础上掺入一定量的锗，既不影响铸造多晶硅的电学性能，而且可以增强铸造多晶硅的机械强度，这种硅片用于太阳能电池，可采用更薄的硅片，从而大幅降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 定向 凝固 铸造 多晶 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅，含有浓度为1×1015～1×1017/cm3 的磷或硼，其特征是还含有浓度为1×1016～1×1019/cm3的锗。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610154949.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
