[发明专利]一种高掺镁的钛酸锶铅高介电可调性薄膜材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 200610154667.2 申请日: 2006-11-14
公开(公告)号: CN1951869A 公开(公告)日: 2007-04-25
发明(设计)人: 杜丕一;李晓婷;翁文剑;韩高荣;赵高凌;沈鸽;徐刚;张溪文 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C04B35/47 分类号: C04B35/47;C04B35/472;C03C17/22;C04B41/87
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 林怀禹
地址: 310027浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种高掺镁的钛酸锶铅高介电可调性薄膜材料的制备方法。以钛酸丁酯,醋酸铅,碳酸锶和碳酸镁为原料,乙二醇甲醚和醋酸为溶剂,配制溶胶先驱体。采用已配制的相关溶胶先驱体作为镀膜溶液,采用浸渍提拉法制备薄膜涂层。得到的涂层经烘干后在高温下快速热处理,然后烧结得到PSMT铁电薄膜。本发明工艺简单,制备的薄膜质量较好,显示了较高的介电可调性(介可调性可达35%到63%),具有良好的应用前景。
搜索关键词: 一种 高掺镁 钛酸锶铅高介电可 调性 薄膜 材料 制备 方法
【主权项】:
1、一种高掺镁的钛酸锶铅高介电可调性薄膜材料的制备方法,其特征在于该方法的步骤如下:1)醋酸铅、碳酸锶、碳酸镁加入去离子水溶入醋酸,在40℃~60℃温度下加热反应,得到溶液甲;2)钛酸丁酯溶入乙二醇甲醚,搅拌至混合均匀,得到溶液乙;3)甲、乙两种溶液混合,控制其中Pb、Sr、Mg、Ti四种元素组分的浓度分别为:Pb:0.22mol/L~0.26mol/L,Sr:0.08mol/L~0.12mol/L,Mg:0mol/L~O.105mol/L,Ti:0.245mol/L~0.35mol/L,搅拌均匀,得到先驱体溶胶;4)采用已配制的先驱体溶胶,将基板3~5cm/min匀速全部浸入已配制好的溶胶体系中,放置10~15秒钟,然后以相同的速度提升,直至基板全部提出液面,然后在空气中自然干燥,随后放入高温炉中在550℃~600℃进行热处理,冷却后,重复上述操作制备6-8层薄膜;5)将制备的多层薄膜在550℃~600℃温度下热处理0.5h~1h,得到掺镁15%~30%的钛酸锶铅薄膜。
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