[发明专利]一种ZnO基发光二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及ZnO基发光二极管及其制备方法，首先采用脉冲激光沉积法在衬底上依次沉积ZnO同质缓冲层、n型ZnO接触层、n型Zn_1－xMg_xO层、多层Zn_1－xMg_xO/ZnO多量子阱结构层、p型Zn_1－xMg_xO层、p型ZnO接触层和多层Zn_{1－xR:SUB>1－y}Mg_yO分布布拉格反射镜结构层，然后采用磁控溅射法在n型ZnO接触层上沉积与n型Zn_1－xMg_xO层并列的第一电极，在p型ZnO接触层上沉积与多层Zn_1－xMg_xO/Zn_1－yMg_yO分布布拉格反射镜结构层并列的第二电极。本发明的ZnO基发光二极管引入了多量子阱和分布布拉格结构，因此可以减少由于光强度透射和吸收引起的损失，从而可以提高LED的发光效率。

主权项

1.一种ZnO基发光二极管，其特征是在衬底(1)上自下而上依次沉积ZnO同质缓冲层(2)、n型ZnO接触层(3)、n型Zn1-xMgxO层(4)、由Zn1-xMgxO和ZnO交替沉积形成的多层Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱结构层(5)、p型Zn1-xMgxO层(6)、p型ZnO接触层(7)和由Zn1-xMgxO和Zn1-yMgyO交替沉积形成的多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层(8)，第一电极(9)并列于n型ZnMgO层(4)沉积在n型ZnO接触层(3)上，第二电极(10)并列于多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层(8)沉积在p型ZnO接触层(7)上，其中多层Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱结构层的X值为0＜X＜0.4，多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层的X值为0～0.4，Y值为0～0.4，且X值与Y值不相同，n型Zn1-xMgxO层的X值为0＜X＜0.2，p型Zn1-xMgxO层的X值为0＜X＜0.2。