[发明专利]氮化物类半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 200610154363.6 | 申请日： | 2006-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1937271A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 久纳康光;竹内邦生 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氮化物类半导体元件的制造方法，其包含：在基板上形成含有In的剥离层的工序，在上述剥离层上形成氮化物类半导体层的工序，由上述剥离层的温度上升、产生上述剥离层分解的工序，在上述剥离层上照射激光的工序，和将上述氮化物半导体从上述基板分离的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 物类 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物类半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：在基板上形成含有In的剥离层的工序；在所述剥离层上形成氮化物类半导体层的工序；由所述剥离层的温度上升、产生所述剥离层分解的工序；在所述剥离层上照射激光的工序；和将所述氮化物半导体从所述基板分离的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610154363.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：陈列柜
- 下一篇：基材表面处理方法及处理了表面的基材、医疗材料和器具
