[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200610154211.6 | 申请日： | 2006-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN1933156A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 森井崇 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：存储器元件，该存储器元件被设置在半导体衬底上并在其中记录信息；端子，该端子用于输入用以向存储器元件记录信息的第一电压和低于第一电压的、用以从存储器元件中读出信息的第二电压；以及静电放电保护电路，该静电放电保护电路连接到端子。所述静电放电保护电路包括其阴极连接到第一端子且其阳极连接到地电位的二极管，以及其漏极和栅极连接到该端子且源极和背栅连接到地电位的第一MOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：存储器元件，该存储器元件被设置在半导体衬底上并在其中记录信息；端子，该端子叠加用于向存储器元件记录信息的第一电压和低于第一电压的、用于从存储器元件读出信息的第二电压；静电放电保护电路，其中，所述静电放电保护电路包括其阴极连接到所述端子且其阳极连接到地电位的二极管，以及其漏极和栅极连接到所述端子且其源极和背栅连接到地电位的第一MOS晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
