[发明专利]使导体露出的刻蚀方法无效
| 申请号： | 200610154202.7 | 申请日： | 2006-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1967777A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | J·J·梅扎佩莱 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了在导体上刻蚀介电层及覆盖层以露出导体的刻蚀方法。在一个实施方案中，该方法包括使用含有八氟环丁烷(C4F8)的化学物质刻蚀二氧化硅(SiO2)，和含有四氟甲烷(CF4)的化学物质刻蚀氮化钛(TiN)。该方法可阻止刻蚀速率的下降，并表现出减少的静电释放缺陷(ESD)。 | ||
| 搜索关键词： | 导体 露出 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种露出导体的刻蚀方法，该方法包括以下步骤：使用含有八氟环丁烷(C4F8)的化学物质刻蚀穿含有二氧化硅(SiO2)的第一介电层；使用含有四氟甲烷(CF4)的化学物质刻穿含有氮化钛(TiN)的覆盖层，以露出导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
