[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610154168.3 | 申请日： | 2006-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1933181A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 李周炫 | 申请（专利权）人： | 东部电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件。半导体器件包括衬底、栅极、隔离物以及源极和漏极。栅极由衬底上的硅化物形成。隔离物形成在栅极侧壁上。源极和漏极形成在衬底上。栅极比隔离物更为突出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；在衬底上由硅化物形成的栅极；形成在栅极侧壁上的隔离物；和形成在衬底上的源极和漏极，其中栅极比隔离物更为突出。
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