[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610154113.2 | 申请日： | 2006-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101140969A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李奎哲;安星振;金容进;李东键 | 申请（专利权）人： | 希特隆股份有限公司;学校法人浦项工科大学校 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国庆尚*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 化合物半导体器件及其制造方法。该方法包括在衬底上涂覆多个球形球并在其上涂覆有球形球的衬底上选择性生长化合物半导体薄膜。整个过程可以被简化，并且与外延横向过生长(ELO)法相比可以在短时间内生长高质量的化合物半导体薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体器件，包含：衬底；排列在衬底上的第一多个球形球；和第一化合物半导体薄膜，其配置在球形球之间及其上，该化合物半导体薄膜发射紫外(UV)光、可见(V)光和红外(IR)光中的一种。
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