[发明专利]非易失性半导体存储装置

摘要

一种非易失性半导体存储装置，在浮动栅极(32)中蓄积电荷、存储数据，其特征在于：具有共有浮动栅极(32)的多个MOS晶体管(24、25、26)，写入时的耦合，使用PMOS晶体管(24)；消去时的耦合，使用N型的耗尽型MOS(DMOS)(25)。在写入时，使用PMOS(24)产生的沟道反转容量的耦合，在消去时，使用N型DMOS(25)产生的耗尽电容的耦合，从而对于现有技术的3晶体管型非易失性存储器元件而言，能够不增加面积地使消去速度高速化。使可以混载到尖端标准CMOS工艺的LSI中的非易失性半导体存储装置，实现写入速度高速化。

主权项

1、一种非易失性半导体存储装置，在浮动栅极中蓄积电荷来存储数据，具有共有浮动栅极的多个MOS晶体管，其中用写入用的MOS晶体管，在写入时，使用沟道电容的耦合；用消去用的MOS晶体管，在消去时，使用耗尽电容的耦合。